一氧化氮气体检测用激光芯片的制作方法; 一氧化氮气体检测用激光芯片的制作方法
于红艳; 周旭亮; 邵永波; 王宝军; 潘教青; 王圩
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09
授权国家中国
专利类型发明
摘要 一种一氧化氮气体检测用激光芯片的制作方法,包括如下步骤:步骤1:在n-InP衬底上依次外延生长出InP缓冲层、InGaAsP下波导层、多量子阱结构、InGaAsP上波导层和p-n反型层;步骤2:在InGaAsP上波导层和p-n反型层上刻蚀出复耦合型光栅;步骤3:在复耦合型光栅上二次外延生长出第一p-InP盖层、刻蚀停止层、第二p-InP盖层和p-InGaAs接触层;步骤4:在第二p-InP盖层和p-InGaAs接触层上腐蚀出脊型波导结构,并大面积淀积二氧化硅层;步骤5:刻蚀掉中间的脊型波导结构上面的二氧化硅层,形成窗口;步骤6:在脊型波导结构和窗口的表面溅射出P面电极并蒸发出N面电极。
部门归属中科院半导体材料科学重点实验室
专利号CN102364772A
语种中文
专利状态公开
申请号 CN201110355383.0
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23475
专题中科院半导体材料科学重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
于红艳,周旭亮,邵永波,等. 一氧化氮气体检测用激光芯片的制作方法, 一氧化氮气体检测用激光芯片的制作方法. CN102364772A.
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