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选择区域外延自脉动DFB激光器的制作方法; 选择区域外延自脉动DFB激光器的制作方法
张灿; 朱洪亮; 梁松; 马丽
Rights Holder中国科学院半导体研究所
Date Available2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09
Country中国
Subtype发明
Abstract 一种选择区域外延自脉动DFB激光器的制作方法,包括如下步骤:步骤1:在InP衬底上制作两条介质掩膜图形,该两条介质掩膜图形分别包括A段、B段和过渡区;步骤2:在制作有介质掩膜图形的衬底上外延生长多量子阱有源区;步骤3:在多量子阱有源区上制作均匀光栅;步骤4:腐蚀去掉介质掩膜图形对应的介质掩模,在光栅层上依次生长InP包层和电接触层;步骤5:在介质掩膜图形的A段和B段之间刻蚀电隔离区,刻蚀深度到达InP包层的表面;步骤6:电接触层上刻蚀脊波导结构;步骤7:在脊波导结构上蒸镀正面电极;步骤8:将InP衬底减薄,在减薄的InP衬底背面蒸镀背面电极;步骤9:在管芯一端蒸镀抗反射薄膜,另一端蒸镀高反射膜,完成自脉动器件管芯的制作。
metadata_83中科院半导体材料科学重点实验室
Patent NumberCN102496853A
Language中文
Status公开
Application Number CN201110415079.0
Document Type专利
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23469
Collection中科院半导体材料科学重点实验室
Recommended Citation
GB/T 7714
张灿,朱洪亮,梁松,等. 选择区域外延自脉动DFB激光器的制作方法, 选择区域外延自脉动DFB激光器的制作方法. CN102496853A.
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选择区域外延自脉动DFB激光器的制作方法(396KB) 限制开放LicenseApplication Full Text
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