增强型半导体-金属复合结构磁场传感器及其制备方法; 增强型半导体-金属复合结构磁场传感器及其制备方法
尹志岗; 张兴旺; 吴金良; 付振; 张汉
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09
授权国家中国
专利类型发明
摘要 一种增强型半导体-金属复合结构磁场传感器,包括:一绝缘衬底;一半导体材料层,为条状结构,制作在绝缘衬底上;两条金属电流引线,制作在绝缘衬底上,其一端与半导体材料层的一侧连接;两条金属电压引线,制作在绝缘衬底上,其一端与半导体材料层的一侧连接,并位于两条金属电流引线之间;一金属分流器,制作在绝缘衬底上,位于半导体材料层的一侧并与之连接;一绝缘层,制作在半导体材料层上;一永磁层,制作在绝缘保护层上,该永磁层具有垂直磁各向异性;一保护层制作在永磁层上。
部门归属中科院半导体材料科学重点实验室
专利号 CN102520377A
语种中文
专利状态公开
申请号CN201110459389.2
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23468
专题中科院半导体材料科学重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
尹志岗,张兴旺,吴金良,等. 增强型半导体-金属复合结构磁场传感器及其制备方法, 增强型半导体-金属复合结构磁场传感器及其制备方法.  CN102520377A.
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