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一种对GaAs与Si进行低温金属键合的方法; 一种对GaAs与Si进行低温金属键合的方法
彭红玲; 郑婉华; 石岩; 马绍栋
Rights Holder中国科学院半导体研究所
Date Available2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09
Country中国
Subtype发明
Abstract 本发明公开了一种对GaAs与Si进行低温金属键合的方法,包括:清洗单面抛光的GaAs外延片,去除表面的有机物;对该GaAs外延片进行光刻腐蚀,得到带窄条的GaAs外延片;在该GaAs外延片上蒸镀金属层;采用剥离方法去胶,得到一定厚度的金属条;清洗Si外延片,去除表面的有机物;采用H2SO4溶液及RCA1溶液对Si外延片表面进行处理,将清洗干净的Si外延片与GaAs外延片进行贴合,得到贴合后的晶片;将该贴合后的晶片对置于真空键合机内进行键合,并进行热处理,以驱除键合界面的水汽;对键合后的晶片进行减薄,并腐蚀掉键合晶片的GaAs衬底。利用本发明,实现了GaAs与Si的低温金属键合,并可以推广到III-V族与III-V族(或IV族的Si、Ge等材料)的键合。
metadata_83纳米光电子实验室
Patent NumberCN102110594A
Language中文
Status公开
Application Number CN201010595700.1
Document Type专利
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23464
Collection纳米光电子实验室
Recommended Citation
GB/T 7714
彭红玲,郑婉华,石岩,等. 一种对GaAs与Si进行低温金属键合的方法, 一种对GaAs与Si进行低温金属键合的方法. CN102110594A.
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