| 一种对GaAs与Si进行低温金属键合的方法; 一种对GaAs与Si进行低温金属键合的方法 |
| 彭红玲; 郑婉华; 石岩; 马绍栋
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2012-09-09
; 2012-09-09
; 2012-09-09
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 本发明公开了一种对GaAs与Si进行低温金属键合的方法,包括：清洗单面抛光的GaAs外延片,去除表面的有机物；对该GaAs外延片进行光刻腐蚀,得到带窄条的GaAs外延片；在该GaAs外延片上蒸镀金属层；采用剥离方法去胶,得到一定厚度的金属条；清洗Si外延片,去除表面的有机物；采用H2SO4溶液及RCA1溶液对Si外延片表面进行处理,将清洗干净的Si外延片与GaAs外延片进行贴合,得到贴合后的晶片；将该贴合后的晶片对置于真空键合机内进行键合,并进行热处理,以驱除键合界面的水汽；对键合后的晶片进行减薄,并腐蚀掉键合晶片的GaAs衬底。利用本发明,实现了GaAs与Si的低温金属键合,并可以推广到III-V族与III-V族(或IV族的Si、Ge等材料)的键合。 |
| 部门归属 | 纳米光电子实验室
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| 专利号 | CN102110594A
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN201010595700.1
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23464
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| 专题 | 纳米光电子实验室
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
彭红玲,郑婉华,石岩,等. 一种对GaAs与Si进行低温金属键合的方法, 一种对GaAs与Si进行低温金属键合的方法. CN102110594A.
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