| 不透射红外及可见光的GaN基紫外探测器面阵; 不透射红外及可见光的GaN基紫外探测器面阵 |
| 王晓勇 ; 种明; 苏艳梅
|
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
|
| 公开日期 | 2012-09-09
; 2012-09-09
; 2012-09-09
|
| 授权国家 | 中国
|
| 专利类型 | 发明
|
| 摘要 | 一种不透射红外及可见光的GaN基紫外探测器面阵的制作方法,包括：在衬底上依次生长缓冲层、n型掺杂层、i型有源层和p型掺杂层；在其两侧向下进行刻蚀,刻蚀到达n型掺杂层内；在其表面沉积氮化硅层；去除p型掺杂层表面的部分氮化硅层和n型掺杂层上的部分氮化硅层并制作n型欧姆接触金属层,在去除部分氮化硅层的p型掺杂层上制作p型欧姆接触金属层,形成基片；在基片的表面沉积一层二氧化硅层；在二氧化硅层的最上面光刻,腐蚀露出面阵四个边缘的n型欧姆接触金属层,腐蚀露出p型欧姆接触金属层；在面阵四个边缘露出的n型欧姆接触金属层和p型欧姆金属层引线孔内及部分二氧化硅层的表面制作加厚金属层；将衬底减薄、抛光,进行管芯分割,完成探测器面阵制作。 |
| 部门归属 | 纳米光电子实验室
|
| 专利号 | CN102244146A
|
| 语种 | 中文
|
| 专利状态 | 公开
|
| 申请号 | CN201110184218.3
|
| 文献类型 | 专利
|
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23452
|
| 专题 | 纳米光电子实验室
|
推荐引用方式
GB/T 7714 |
王晓勇,种明,苏艳梅. 不透射红外及可见光的GaN基紫外探测器面阵, 不透射红外及可见光的GaN基紫外探测器面阵. CN102244146A.
|
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论