一种低波纹系数半导体超辐射发光二极管的制备方法

	一种低波纹系数半导体超辐射发光二极管的制备方法; 一种低波纹系数半导体超辐射发光二极管的制备方法
	谭满清; 焦健
专利权人	中国科学院半导体研究所
公开日期	2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09
授权国家	中国
专利类型	发明
摘要	本发明公开了一种低波纹系数半导体超辐射发光二极管的制备方法,采用斜三角形吸收区的波导结构结合前后腔面淀积超低反射率的光学增透膜,实现低波纹系数半导体超辐射发光二极管的制备。本发明采用斜三角形吸收区的波导形式,它的三条边与对应腔面之间均保持一定的夹角,可以有效提高光透射率；另外,斜腔的结构也可以有效抑制受激振荡,减少腔面的光反馈。在膜系设计上,两层膜系结构的低反射率光谱区带宽、膜料的折射率偏差和厚度偏差对膜系剩余反射率的影响程度均好于三层膜系对称结构,且工艺制备时的允差较大,有利于实现精确监控。本发明提供的制作低波纹系数的半导体超辐射发光二极管方法,工艺相对简单,实现成本较低,具有工艺合理性。
部门归属	集成光电子学国家重点实验室
语种	中文
专利状态	公开
申请号	CN201010564564.X
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23439
专题	集成光电子学国家重点实验室
推荐引用方式 GB/T 7714	谭满清,焦健. 一种低波纹系数半导体超辐射发光二极管的制备方法, 一种低波纹系数半导体超辐射发光二极管的制备方法.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
一种低波纹系数半导体超辐射发光二极管的制（443KB）			限制开放	使用许可	请求全文