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集成光波导马赫-泽德干涉型传感芯片的制作方法; 集成光波导马赫-泽德干涉型传感芯片的制作方法
姜婷; 吴远大; 王玥; 安俊明; 李建光; 王红杰; 胡雄伟
Rights Holder中国科学院半导体研究所
Date Available2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09
Country中国
Subtype发明
Abstract 一种集成光波导马赫-泽德干涉型传感芯片的制作方法,包括:取一SOI基片;在SOI基片的顶层硅上涂光刻胶,利用光刻的技术在光刻胶上形成图形;利用感应耦合等离子体刻蚀工艺,在顶层硅上刻蚀出脊形光波导结构,去掉脊形光波导结构上的光刻胶;利用等离子体增强化学气相沉淀技术,在脊形光波导结构的表面淀积一层二氧化硅层;再在二氧化硅层的表面涂光刻胶层,利用光刻的技术在光刻胶层上形成图形;利用湿法刻蚀工艺,在二氧化硅层上得到敏感窗口,形成基片;对基片进行划片、抛光处理,得到芯片单元;利用旋涂法,将二氧化锡溶胶均匀涂覆在芯片单元的表面;对涂覆有二氧化锡溶胶的芯片单元进行退火处理;在退火后的芯片单元两端用紫外固化胶粘上光纤阵列。
metadata_83集成光电子学国家重点实验室
Language中文
Status公开
Application Number CN201110155033.X
Document Type专利
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23424
Collection集成光电子学国家重点实验室
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GB/T 7714
姜婷,吴远大,王玥,等. 集成光波导马赫-泽德干涉型传感芯片的制作方法, 集成光波导马赫-泽德干涉型传感芯片的制作方法.
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