SEMI OpenIR  > 集成光电子学国家重点实验室
硅基延时可调光延迟线及其制作方法; 硅基延时可调光延迟线及其制作方法
李运涛; 俞育德; 余金中
Rights Holder中国科学院半导体研究所
Date Available2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09
Country中国
Subtype发明
Abstract 一种硅基延时可调光延迟线,包括:一输入波导及一直通端,该输入波导及直通端之间通过一第一弯曲波导连接;一上载端及一下载端,该上载端及下载端之间通过一第二弯曲波导连接;一光学谐振腔,该光学谐振腔位于输入波导、直通端、上载端和下载端之间,并与输入波导、直通端、上载端和下载端形成耦合;两调谐电极,该两调谐电极分别位于第一弯曲波导与光学谐振腔的耦合处的两侧或该两调谐电极分别位于第二弯曲波导与光学谐振腔的耦合处的两侧。
metadata_83集成光电子学国家重点实验室
Language中文
Status公开
Application Number CN201110364951.3
Document Type专利
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23420
Collection集成光电子学国家重点实验室
Recommended Citation
GB/T 7714
李运涛,俞育德,余金中. 硅基延时可调光延迟线及其制作方法, 硅基延时可调光延迟线及其制作方法.
Files in This Item:
File Name/Size DocType Version Access License
硅基延时可调光延迟线及其制作方法.pdf(377KB) 限制开放LicenseApplication Full Text
Related Services
Recommend this item
Bookmark
Usage statistics
Export to Endnote
Google Scholar
Similar articles in Google Scholar
[李运涛]'s Articles
[俞育德]'s Articles
[余金中]'s Articles
Baidu academic
Similar articles in Baidu academic
[李运涛]'s Articles
[俞育德]'s Articles
[余金中]'s Articles
Bing Scholar
Similar articles in Bing Scholar
[李运涛]'s Articles
[俞育德]'s Articles
[余金中]'s Articles
Terms of Use
No data!
Social Bookmark/Share
All comments (0)
No comment.
 

Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.