| 一种基于超快激光掺杂的中间带材料的制备方法; 一种基于超快激光掺杂的中间带材料的制备方法 | |
| 李辛毅; 韩培德; 毛雪; 胡少旭; 王帅; 范玉杰 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 摘要 | 本发明公开了一种基于超快激光掺杂的中间带材料的制备方法,该方法包括：在硅衬底表层蒸镀钛薄膜；以及采用超快激光辐照蒸镀有钛薄膜的硅材料表层。本发明提供的基于超快激光掺杂的中间带材料的制备方法,采用超快激光辐照镀有钛薄层的硅衬底的方法,实现了在硅材料中超过Mott相变的钛元素掺杂,进而制备出了硅基中间带材料,解决了钛元素在硅材料中高浓度非平衡掺杂困难的问题。 |
| 部门归属 | 集成光电子学国家重点实验室 |
| 语种 | 中文 |
| 专利状态 | 公开 |
| 申请号 | CN201110391156.3 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23414 |
| 专题 | 集成光电子学国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李辛毅,韩培德,毛雪,等. 一种基于超快激光掺杂的中间带材料的制备方法, 一种基于超快激光掺杂的中间带材料的制备方法. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| 一种基于超快激光掺杂的中间带材料的制备方（307KB） | 限制开放 | 使用许可 | 请求全文 | |||
| 个性服务 |
| 推荐该条目 |
| 保存到收藏夹 |
| 查看访问统计 |
| 导出为Endnote文件 |
| 谷歌学术 |
| 谷歌学术中相似的文章 |
| [李辛毅]的文章 |
| [韩培德]的文章 |
| [毛雪]的文章 |
| 百度学术 |
| 百度学术中相似的文章 |
| [李辛毅]的文章 |
| [韩培德]的文章 |
| [毛雪]的文章 |
| 必应学术 |
| 必应学术中相似的文章 |
| [李辛毅]的文章 |
| [韩培德]的文章 |
| [毛雪]的文章 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论