SEMI OpenIR  > 集成光电子学国家重点实验室
制作立体神经微电极的方法; 制作立体神经微电极的方法
裴为华; 赵辉; 王宇; 陈三元; 汤戎昱; 陈远方; 陈弘达
Rights Holder中国科学院半导体研究所
Date Available2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09
Country中国
Subtype发明
Abstract一种制作立体神经微电极的方法,包括以下步骤:步骤1:取一衬底;步骤2:在衬底正反面生长掩膜,并做对称图案化处理,得到微电极阵列的原始形状;步骤3:从衬底正反面同时刻蚀,将多余部分去除;步骤4:去除剩余的掩膜;步骤5:对上述步骤得到的结构,采用腐蚀的方法进行光滑和变尖处理,得到微电极阵列,该微电极阵列包括多个电极,该电极的尾端相连接;步骤6:在微电极阵列的表面生长金属层;步骤7:在微电极阵列表面的金属层上再生长绝缘层,并将连接点和记录点的绝缘层刻蚀掉。
metadata_83集成光电子学国家重点实验室
Language中文
Status公开
Application NumberCN201110409793.9
Document Type专利
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23406
Collection集成光电子学国家重点实验室
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GB/T 7714
裴为华,赵辉,王宇,等. 制作立体神经微电极的方法, 制作立体神经微电极的方法.
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