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半导体激光二极管发光单元及器件; 半导体激光二极管发光单元及器件
郑凯; 王俊; 熊聪; 马骁宇
Rights Holder中国科学院半导体研究所
Date Available2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09
Country中国
Subtype发明
Abstract 本发明公开了一种半导体激光二极管发光单元及器件。该发光单元输出激光的功率大于0.2W,其结构自下往上包括:第一限制层、第一波导层、量子阱层、第二波导层和第二限制层,其中:第一限制层和第二限制层,用于形成PN结进行载流子输入;第一波导层和第二波导层的厚度均介于400~600nm之间,用于形成激光传输的通路;量子阱层,用于作为有源区产生激光。本发明通过增加发光单元中波导层的厚度,能够有效地提高半导体激光二极管的COD阈值。
metadata_83光电子器件国家工程中心
Application Date2011-01-31
Patent NumberCN102130423A
Language中文
Status公开
Application Number CN201110033774.0
Document Type专利
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23404
Collection光电子器件国家工程中心
Recommended Citation
GB/T 7714
郑凯,王俊,熊聪,等. 半导体激光二极管发光单元及器件, 半导体激光二极管发光单元及器件. CN102130423A.
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