| 降低大功率半导体激光器发散角的窄波导结构; 降低大功率半导体激光器发散角的窄波导结构 |
| 祁琼; 熊聪; 王俊; 郑凯; 刘素平; 马骁宇
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2012-09-09
; 2012-09-09
; 2012-09-09
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 本发明一种降低大功率半导体激光器发散角的窄波导结构,包括：一衬底；一N型限制层,该N型限制层制作在衬底上；一N型波导层,该N型波导层制作在N型限制层上；一量子阱层,该量子阱层制作在N型波导层上；一P型波导层,该P型波导层制作在量子阱层上；一P型限制层,该P型限制层制作在P型波导层上。 |
| 部门归属 | 光电子器件国家工程中心
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| 申请日期 | 2011-03-17
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| 专利号 | CN102163804A
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN201110064481.9
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23401
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| 专题 | 光电子器件国家工程中心
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
祁琼,熊聪,王俊,等. 降低大功率半导体激光器发散角的窄波导结构, 降低大功率半导体激光器发散角的窄波导结构. CN102163804A.
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