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一种抗单粒子效应的静态随机存储器单元; 一种抗单粒子效应的静态随机存储器单元
李振涛; 乔宁
Rights Holder中国科学院半导体研究所
Date Available2012-09-07 ; 2011-06-15 ; 2012-09-07
Country中国
Subtype发明
Abstract 本发明公开了一种抗单粒子效应的静态随机存储器单元,其能够有效提高SRAM单元抗单粒子翻转的能力,明显提高SRAM的翻转阈值。该SRAM单元为十四管存储单元,包括两个存取NMOS管,两个分别由六个MOS管组成的反相器。与组成最基本的六管单元中的反相器不同,本发明的反相器结构由两个NMOS晶体管作为驱动晶体管,两个PMOS晶体管作为负载晶体管,一个由一个PMOS晶体管和一个NMOS晶体管组成的传输门调整电平。这种结构实现了存储单元的抗单粒子翻转,且结构相对简单,容易在抗辐射SRAM芯片设计中实现。
metadata_83半导体集成技术工程研究中心
Application Date2010-12-21
Patent NumberCN102097123A
Language中文
Status公开
Application Number CN201010599030.0
Document Type专利
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23354
Collection半导体集成技术工程研究中心
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GB/T 7714
李振涛,乔宁. 一种抗单粒子效应的静态随机存储器单元, 一种抗单粒子效应的静态随机存储器单元. CN102097123A.
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