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基于光压效应的红外光子探测方法; 基于光压效应的红外光子探测方法
张逢新; 杨晋玲; 朱银芳
Rights Holder中国科学院半导体研究所
Date Available2012-09-07 ; 2011-11-23 ; 2012-09-07
Country中国
Subtype发明
Abstract 本发明公开了一种基于光压效应的红外光子探测方法,包括:驱动电路向作为感应元件的谐振结构提供驱动信号,该谐振结构在该驱动信号作用下起振;红外光源输出的红外辐射光经调制电路进行功率调制后,照射到谐振结构上产生光压效应,使谐振结构的振幅发生改变;以及通过位移测量装置检测谐振结构的振幅改变量来探测红外辐射量,进而实现红外光子的探测。本发明可以在常温进行红外光子探测、灵敏度高(nW级)、方法简单易行,所需的敏感器件制作方法简单、成本低廉,可用于光纤通信,并能与现有技术兼容。
metadata_83半导体集成技术工程研究中心
Application Date2011-04-18
Patent NumberCN102252753A
Language中文
Status公开
Application Number CN201110096643.7
Document Type专利
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23347
Collection半导体集成技术工程研究中心
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GB/T 7714
张逢新,杨晋玲,朱银芳. 基于光压效应的红外光子探测方法, 基于光压效应的红外光子探测方法. CN102252753A.
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