SEMI OpenIR  > 半导体超晶格国家重点实验室
制备Mn掺杂InP:Zn基稀磁半导体的方法; 制备Mn掺杂InP:Zn基稀磁半导体的方法
杨冠东; 朱峰; 李京波
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2012-08-29 ; 2011-06-29 ; 2012-08-29
授权国家中国
专利类型发明
摘要 一种制备InMnP:Zn稀磁半导体的方法,采用真空镀膜后热扩散工艺,具体包括以下步骤:步骤1:将一衬底在煮沸的浓盐酸中进行化学腐蚀清洗,然后用去离子水反复冲洗5遍;步骤2:将衬底用氮气吹干,然后迅速置于真空镀膜机,并使之处于真空环境;步骤3:使用真空镀膜机在衬底上蒸镀Mn薄膜;步骤4:将附有Mn薄膜的衬底置入高温真空管式炉,在真空环境中进行高温扩散;步骤5:使用稀盐酸腐蚀清洗衬底表面残余的Mn原子和其他杂质原子,完成器件的制作。
部门归属半导体超晶格国家重点实验室
申请日期2011-03-10
专利号CN102108483A
语种中文
专利状态公开
申请号 CN201110057072.6
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23337
专题半导体超晶格国家重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
杨冠东,朱峰,李京波. 制备Mn掺杂InP:Zn基稀磁半导体的方法, 制备Mn掺杂InP:Zn基稀磁半导体的方法. CN102108483A.
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