SEMI OpenIR  > 半导体超晶格国家重点实验室
纳米线阵列/纳米晶多孔膜复合结构光阳极的制备方法; 纳米线阵列/纳米晶多孔膜复合结构光阳极的制备方法
王美丽; 李京波; 王岩
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2012-08-29 ; 2011-10-19 ; 2012-08-29
授权国家中国
专利类型发明
摘要 一种纳米线阵列/纳米晶多孔膜复合结构光阳极的制备方法,包括以下几个步骤:步骤1:取一导电基片;步骤2:采用丝网印刷技术,在导电基片的表面印刷TiO2浆料;步骤3:加热,使TiO2浆料中的有机溶剂挥发,得到TiO2纳米晶多孔膜,有利于染料的吸附;步骤4:在TiO2纳米晶多孔膜上沉积ZnO晶种层3,有利于ZnO纳米线的外延生长;步骤5:采用水热化学反应法,在ZnO晶种层上外延生长ZnO纳米线阵列,有利于光生电子的直线传输并加快电荷分离,完成ZnO纳米线阵列4和TiO2纳米晶多孔膜纳米复合光阳极的制备。
部门归属半导体超晶格国家重点实验室
申请日期2011-03-21
专利号CN102222572A
语种中文
专利状态公开
申请号 CN201110067723.X
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23327
专题半导体超晶格国家重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
王美丽,李京波,王岩. 纳米线阵列/纳米晶多孔膜复合结构光阳极的制备方法, 纳米线阵列/纳米晶多孔膜复合结构光阳极的制备方法. CN102222572A.
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