高级检索   注册
SEMI OpenIR  > 半导体材料科学中心  > 专利

专利名称: 碳化硅PIN微结构的制作方法;  碳化硅PIN微结构的制作方法
发明人: 孙国胜;  吴海雷;  郑柳;  刘兴昉;  王雷;  赵万顺;  闫果果
摘要:  一种碳化硅PiN微结构的制作方法,包括如下步骤:步骤1:取一n型碳化硅衬底;步骤2:对n型碳化硅衬底的表面进行氢气刻蚀;步骤3:在n型碳化硅衬底上生长n-型变浓度缓冲层;步骤4:在n-型变浓度缓冲层上外延生长本征外延层;步骤5:采用离子注入法,在本征外延层上制备P型层;步骤6:退火,完成碳化硅PIN微结构的制作。
专题: 半导体材料科学中心_专利

条目包含的文件

文件 大小格式
碳化硅PIN微结构的制作方法.pdf312KbAdobe PDF 联系获取全文


许可声明:条目相关作品遵循知识共享协议(Creative Commons)。


推荐引用方式:
孙国胜;吴海雷;郑柳;刘兴昉;王雷;赵万顺;闫果果,碳化硅PIN微结构的制作方法, CN201110177841.6,
个性服务
 推荐该条目
 保存到收藏夹
 查看访问统计
 Endnote导出
Google Scholar
 Google Scholar中相似的文章
 [孙国胜]的文章
 [吴海雷]的文章
 [郑柳]的文章
CSDL跨库检索
 CSDL跨库检索中相似的文章
 [孙国胜]的文章
 [吴海雷]的文章
 [郑柳]的文章
Scirus search
 Scirus中相似的文章
Social Bookmarking
  Add to CiteULike  Add to Connotea  Add to Del.icio.us  Add to Digg  Add to Reddit 
所有评论 (0)
暂无评论

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。

 

 

Valid XHTML 1.0! 版权所有 © 2007-2012  中国科学院半导体研究所  -反馈
系统开发与技术支持:中国科学院国家科学图书馆兰州分馆(信息系统部)
本系统基于 MIT 和 Hewlett-Packard 的 DSpace 软件开发