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碳化硅PIN微结构的制作方法; 碳化硅PIN微结构的制作方法
孙国胜; 吴海雷; 郑柳; 刘兴昉; 王雷; 赵万顺; 闫果果
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2012-08-29 ; 2012-08-29 ; 2012-08-29
授权国家中国
专利类型发明
摘要 一种碳化硅PiN微结构的制作方法,包括如下步骤:步骤1:取一n型碳化硅衬底;步骤2:对n型碳化硅衬底的表面进行氢气刻蚀;步骤3:在n型碳化硅衬底上生长n-型变浓度缓冲层;步骤4:在n-型变浓度缓冲层上外延生长本征外延层;步骤5:采用离子注入法,在本征外延层上制备P型层;步骤6:退火,完成碳化硅PIN微结构的制作。
部门归属半导体材料科学中心
申请日期2011-06-28
专利号CN102254798A
语种中文
专利状态公开
申请号 CN201110177841.6
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23315
专题半导体材料科学中心
推荐引用方式
GB/T 7714
孙国胜,吴海雷,郑柳,等. 碳化硅PIN微结构的制作方法, 碳化硅PIN微结构的制作方法. CN102254798A.
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碳化硅PIN微结构的制作方法.pdf(312KB) 限制开放使用许可请求全文
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