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专利名称: 连续型HTCVD法碳化硅晶体生长装置;  连续型HTCVD法碳化硅晶体生长装置
发明人: 刘兴昉;  郑柳;  董林;  闫果果;  王雷;  赵万顺;  孙国胜;  曾一平;  李晋闽
摘要:  一种连续型HTCVD法碳化硅晶体生长装置,包括:一主腔室,为一圆柱形的中空体,用于提供晶体生长的真空环境,该主腔室的径向穿过一尾气管路,在尾气管路的下方通入一源气体管路;一可动托盘位于主腔室内,在源气体管路的上方;一固定托盘位于主腔室内,在可动托盘的上方;一第一辅助腔室用于提供真空缓冲环境,并在该环境下向所述主腔室提供样品,该第一辅助腔室位于主腔室的一侧,与主腔室连通,在主腔室与第一辅助腔室之间有一第一闸门;一第二辅助腔室用于提供真空缓冲环境,并在该环境下向所述主腔室取出样品,该第二辅助腔室位于主腔室的另一侧,与主腔室连通,在主腔室与第二辅助腔室之间有一第二闸门;其中所述第一和第二辅助腔室通过第一、第二闸门分别与所述主腔室隔离。
专题: 半导体材料科学中心_专利

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连续型HTCVD法碳化硅晶体生长装置.pdf575KbAdobe PDF 联系获取全文


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推荐引用方式:
刘兴昉;郑柳;董林;闫果果;王雷;赵万顺;孙国胜;曾一平;李晋闽,连续型HTCVD法碳化硅晶体生长装置, CN201110267894.7,
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