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连续型HTCVD法碳化硅晶体生长装置; 连续型HTCVD法碳化硅晶体生长装置
刘兴昉; 郑柳; 董林; 闫果果; 王雷; 赵万顺; 孙国胜; 曾一平; 李晋闽
Rights Holder中国科学院半导体研究所
Date Available2012-08-29 ; 2012-08-29 ; 2012-08-29
Country中国
Subtype发明
Abstract 一种连续型HTCVD法碳化硅晶体生长装置,包括:一主腔室,为一圆柱形的中空体,用于提供晶体生长的真空环境,该主腔室的径向穿过一尾气管路,在尾气管路的下方通入一源气体管路;一可动托盘位于主腔室内,在源气体管路的上方;一固定托盘位于主腔室内,在可动托盘的上方;一第一辅助腔室用于提供真空缓冲环境,并在该环境下向所述主腔室提供样品,该第一辅助腔室位于主腔室的一侧,与主腔室连通,在主腔室与第一辅助腔室之间有一第一闸门;一第二辅助腔室用于提供真空缓冲环境,并在该环境下向所述主腔室取出样品,该第二辅助腔室位于主腔室的另一侧,与主腔室连通,在主腔室与第二辅助腔室之间有一第二闸门;其中所述第一和第二辅助腔室通过第一、第二闸门分别与所述主腔室隔离。
metadata_83半导体材料科学中心
Application Date2011-09-08
Patent NumberCN102304763A
Language中文
Status公开
Application Number CN201110267894.7
Document Type专利
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23314
Collection半导体材料科学中心
Recommended Citation
GB/T 7714
刘兴昉,郑柳,董林,等. 连续型HTCVD法碳化硅晶体生长装置, 连续型HTCVD法碳化硅晶体生长装置. CN102304763A.
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连续型HTCVD法碳化硅晶体生长装置.p(575KB) 限制开放LicenseApplication Full Text
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