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专利名称: HTCVD法碳化硅晶体生长装置;  HTCVD法碳化硅晶体生长装置
发明人: 刘兴昉;  董林;  郑柳;  闫果果;  王雷;  赵万顺;  孙国胜;  曾一平;  李晋闽
摘要:  一种HTCVD法碳化硅晶体生长装置,所述晶体生长装置适用于高温化学气相沉积工艺,所述晶体生长装置包括:一真空室;一晶体生长室,与真空室连接,该晶体生长室包括多个独立的晶体生长腔;多个输送源气体的管路,该输送源气体的管路位于真空室和晶体生长室内,分别与晶体生长室的独立的晶体生长腔连通,用于向晶体生长室输送源气体;一用于排除尾气的管路,位于真空室和晶体生长室内,分别与多个晶体生长腔连接,用于排出晶体生长尾气。
专题: 半导体材料科学中心_专利

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推荐引用方式:
刘兴昉;董林;郑柳;闫果果;王雷;赵万顺;孙国胜;曾一平;李晋闽,HTCVD法碳化硅晶体生长装置, CN201110264570.8,
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