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HTCVD法碳化硅晶体生长装置; HTCVD法碳化硅晶体生长装置
刘兴昉; 董林; 郑柳; 闫果果; 王雷; 赵万顺; 孙国胜; 曾一平; 李晋闽
Rights Holder中国科学院半导体研究所
Date Available2012-08-29 ; 2012-08-29 ; 2012-08-29
Country中国
Subtype发明
Abstract 一种HTCVD法碳化硅晶体生长装置,所述晶体生长装置适用于高温化学气相沉积工艺,所述晶体生长装置包括:一真空室;一晶体生长室,与真空室连接,该晶体生长室包括多个独立的晶体生长腔;多个输送源气体的管路,该输送源气体的管路位于真空室和晶体生长室内,分别与晶体生长室的独立的晶体生长腔连通,用于向晶体生长室输送源气体;一用于排除尾气的管路,位于真空室和晶体生长室内,分别与多个晶体生长腔连接,用于排出晶体生长尾气。
metadata_83半导体材料科学中心
Application Date2011-09-08
Patent NumberCN102304698A
Language中文
Status公开
Application Number CN201110264570.8
Document Type专利
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23313
Collection半导体材料科学中心
Recommended Citation
GB/T 7714
刘兴昉,董林,郑柳,等. HTCVD法碳化硅晶体生长装置, HTCVD法碳化硅晶体生长装置. CN102304698A.
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