SEMI OpenIR  > 半导体材料科学中心
氮化镓基高电子迁移率晶体管及制作方法; 氮化镓基高电子迁移率晶体管及制作方法
王晓亮; 毕杨; 王翠梅; 肖红领; 冯春; 姜丽娟; 陈竑
Rights Holder中国科学院半导体研究所
Date Available2012-08-29 ; 2012-08-29 ; 2012-08-29
Country中国
Subtype发明
Abstract 一种氮化镓基高电子迁移率晶体管结构,包括:一衬底;一低温氮化镓成核层,该低温氮化镓成核层制作在衬底上面;一非有意掺杂氮化镓高阻层,该非有意掺杂氮化镓高阻层制作在低温氮化镓成核层上面;一非有意掺杂高迁移率氮化镓层,该非有意掺杂高迁移率氮化镓层制作在非有意掺杂氮化镓高阻层上面;一氮化铝插入层,该氮化铝插入层制作在非有意掺杂高迁移率氮化镓层上面;一非有意掺杂铟铝氮势垒层,该非有意掺杂铟铝氮势垒层制作在氮化铝插入层上面;一非有意掺杂铝镓氮势垒层,该非有意掺杂铝镓氮势垒层制作在非有意掺杂铟铝氮势垒层上面。一非有意掺杂氮化镓盖帽层,该非有意掺杂氮化镓盖帽层制作在非有意掺杂铝镓氮势垒层上面。
metadata_83半导体材料科学中心
Application Date2011-12-06
Patent Number CN102427084A
Language中文
Status公开
Application Number CN201110401468.8
Document Type专利
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23309
Collection半导体材料科学中心
Recommended Citation
GB/T 7714
王晓亮,毕杨,王翠梅,等. 氮化镓基高电子迁移率晶体管及制作方法, 氮化镓基高电子迁移率晶体管及制作方法.  CN102427084A.
Files in This Item:
File Name/Size DocType Version Access License
氮化镓基高电子迁移率晶体管及制作方法.p(570KB) 限制开放LicenseApplication Full Text
Related Services
Recommend this item
Bookmark
Usage statistics
Export to Endnote
Google Scholar
Similar articles in Google Scholar
[王晓亮]'s Articles
[毕杨]'s Articles
[王翠梅]'s Articles
Baidu academic
Similar articles in Baidu academic
[王晓亮]'s Articles
[毕杨]'s Articles
[王翠梅]'s Articles
Bing Scholar
Similar articles in Bing Scholar
[王晓亮]'s Articles
[毕杨]'s Articles
[王翠梅]'s Articles
Terms of Use
No data!
Social Bookmark/Share
All comments (0)
No comment.
 

Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.