SEMI OpenIR  > 中科院半导体材料科学重点实验室
沉积气压对相变域硅薄膜性能的影响
郝会颖; 李伟民; 曾湘波; 孔光临; 廖显伯
2011
Source Publication功能材料
Volume42Issue:8Pages:1489-1491
Abstract采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)法,成功制备出一系列从非晶到微晶过渡区域的硅薄膜。研究了气体压强对样品的微结构、光电特性、输运性质以及沉积速率的调控作用。结果表明,增大沉积气压可以提高材料的光敏性及沉积速率,但材料的结构有序度以及输运特性变差。
metadata_83中科院半导体材料科学重点实验室
Subject Area半导体材料
Funding Organization中央高校基本科研业务费专项资金资助项目,国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目,中国科学院半导体材料科学重点实验室开放基金资助项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:4298482
Date Available2012-07-17
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23295
Collection中科院半导体材料科学重点实验室
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GB/T 7714
郝会颖,李伟民,曾湘波,等. 沉积气压对相变域硅薄膜性能的影响[J]. 功能材料,2011,42(8):1489-1491.
APA 郝会颖,李伟民,曾湘波,孔光临,&廖显伯.(2011).沉积气压对相变域硅薄膜性能的影响.功能材料,42(8),1489-1491.
MLA 郝会颖,et al."沉积气压对相变域硅薄膜性能的影响".功能材料 42.8(2011):1489-1491.
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