SEMI OpenIR  > 纳米光电子实验室
光刻胶光学性质的光谱椭偏测量方法研究
刘文德; 陈赤; 陈熙; 于靖; 郑春弟; 王煜
2011
Source Publication计量学报
Volume32Issue:4Pages:381-384
Abstract利用相调制型光谱椭偏仪研究了光刻胶光学常数的测量方法,针对测量过程中光刻胶曝光控制优化了测量方案和仪器参数。对常见的S9912正型光刻胶,给出了曝光前后275~ 650 nm波段的光学常数。并采用动态椭偏法测量了所需波长下曝光前的光学常数。实验结果表明:该测量方法适用于光刻胶在紫外-可见-红外宽波段的光学性质研究,在光刻模拟、新型光刻胶材料研制及其光学性质表征等领域有重要实用价值
metadata_83纳米光电子实验室
Subject Area光电子学
Funding Organization国家自然科学基金,中国计量科学研究院基本科研业务费
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:4305268
Date Available2012-07-17
Citation statistics
Cited Times:1[CSCD]   [CSCD Record]
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23289
Collection纳米光电子实验室
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GB/T 7714
刘文德,陈赤,陈熙,等. 光刻胶光学性质的光谱椭偏测量方法研究[J]. 计量学报,2011,32(4):381-384.
APA 刘文德,陈赤,陈熙,于靖,郑春弟,&王煜.(2011).光刻胶光学性质的光谱椭偏测量方法研究.计量学报,32(4),381-384.
MLA 刘文德,et al."光刻胶光学性质的光谱椭偏测量方法研究".计量学报 32.4(2011):381-384.
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