| SoI基微环谐振可调谐滤波器 | |
| 姜宏伟; 吴远大 | |
| 2011 | |
| Source Publication | 光电子·激光
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| Volume | 22Issue:6Pages:813-815 |
| Abstract | 采用电子束光刻和ICP刻蚀等工艺制作出绝缘体上Si(SoI)基纳米线波导微环谐振(MRR)滤波器,波导截面尺寸为300 nm×320 nm,微环半径为5μm。测试结果表明,器件的自由频谱宽度(FSR)为16.8 nm,1.55μm波长附近的消光比(ER)为18.1 dB。通过对MRR滤波器进行热光调制,在21.4~60.0℃温度范围内实现了4.8 nm波长范围的可调谐滤波特性,热光调谐效率达到0.12 nm /℃。 |
| metadata_83 | 集成光电子学国家重点实验室 |
| Subject Area | 光电子学 |
| Funding Organization | 国家“863”计划资助项目,国家自然科学基金资助项目 |
| Indexed By | CSCD |
| Language | 中文 |
| CSCD ID | CSCD:4221498 |
| Date Available | 2012-07-17 |
| Citation statistics | |
| Document Type | 期刊论文 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23285 |
| Collection | 集成光电子学国家重点实验室 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 姜宏伟,吴远大. SoI基微环谐振可调谐滤波器[J]. 光电子·激光,2011,22(6):813-815. |
| APA | 姜宏伟,&吴远大.(2011).SoI基微环谐振可调谐滤波器.光电子·激光,22(6),813-815. |
| MLA | 姜宏伟,et al."SoI基微环谐振可调谐滤波器".光电子·激光 22.6(2011):813-815. |
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