SEMI OpenIR  > 集成光电子学国家重点实验室
采用低温缓冲层技术在Si衬底上生长高质量Ge薄膜
周志文; 贺敬凯; 李成; 余金中
2011
Source Publication光电子·激光
Volume22Issue:7Pages:1030-1033
Abstract采用低温缓冲层技术,在Si衬底上生长了质量优良的Ge薄膜。利用原子力显微镜(AFM)、双晶X射线衍射(XRD)和拉曼散射等研究了薄膜的晶体质量。结果表明,由于无法抑制三维岛状生长,低温Ge缓冲层的表面是起伏的。然而,Ge与Si间的压应变几乎完全弛豫。当缓冲层足够厚时,后续高温Ge外延层的生长能够使粗糙的表面变得平整。在90 nm低温Ge缓冲层上生长的210 nm高温Ge外延层,表面粗糙度仅为1.2 nm,位错密度小于5×105cm-2,XRD的峰形对称,峰值半高宽为460 arc sec。
metadata_83集成光电子学国家重点实验室
Subject Area光电子学
Funding Organization国家重点基础发展研究计划资助项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:4256847
Date Available2012-07-17
Citation statistics
Cited Times:6[CSCD]   [CSCD Record]
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23283
Collection集成光电子学国家重点实验室
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GB/T 7714
周志文,贺敬凯,李成,等. 采用低温缓冲层技术在Si衬底上生长高质量Ge薄膜[J]. 光电子·激光,2011,22(7):1030-1033.
APA 周志文,贺敬凯,李成,&余金中.(2011).采用低温缓冲层技术在Si衬底上生长高质量Ge薄膜.光电子·激光,22(7),1030-1033.
MLA 周志文,et al."采用低温缓冲层技术在Si衬底上生长高质量Ge薄膜".光电子·激光 22.7(2011):1030-1033.
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