SEMI OpenIR  > 集成光电子学国家重点实验室
射频磁控溅射功率对氧化钒薄膜相变特性的影响
梁继然; 胡明; 梁秀琴; 阚强; 陈涛; 陈弘达
2011
Source Publication天津大学学报
Volume44Issue:10Pages:847-851
Abstract采用射频磁控溅射方法, 结合氮气氛退火处理工艺制备二氧化钒薄膜, 研究溅射功率对氧化钒薄膜电阻温度性能的影响.利用X射线衍射仪和X射线光电子能谱仪对薄膜的结晶结构和成分进行了分析, 利用四探针测试仪测试了样品的电阻温度特性.实验结果表明, 在保持优化氧分压和热处理工艺条件不变的情况下, 氧化钒薄膜的方块电阻随溅射功率的升高逐渐下降; 经450, ℃热处理后, 氧化钒薄膜出现了明显的半导体-金属相变特性, 相变的幅度随溅射功率的增加而逐渐下降; 在溅射功率为150, W时, 获得了相变幅度接近3个数量级的高性能二氧化钒薄膜。
metadata_83集成光电子学国家重点实验室
Subject Area光电子学
Funding Organization国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目,天津市应用基础及前沿技术研究重点资助项目,集成光电子学国家重点实验室基金资助项目,高等学校博士学科点专项科研基金资助项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:4340990
Date Available2012-07-17
Citation statistics
Cited Times:3[CSCD]   [CSCD Record]
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23272
Collection集成光电子学国家重点实验室
Recommended Citation
GB/T 7714
梁继然,胡明,梁秀琴,等. 射频磁控溅射功率对氧化钒薄膜相变特性的影响[J]. 天津大学学报,2011,44(10):847-851.
APA 梁继然,胡明,梁秀琴,阚强,陈涛,&陈弘达.(2011).射频磁控溅射功率对氧化钒薄膜相变特性的影响.天津大学学报,44(10),847-851.
MLA 梁继然,et al."射频磁控溅射功率对氧化钒薄膜相变特性的影响".天津大学学报 44.10(2011):847-851.
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