| 高剂量注氮对注氧隔离硅材料埋氧层中正电荷密度的影响 | |
唐海马; 郑中山; 张恩霞; 于芳 ; 李宁; 王宁娟; 李国花; 马红芝
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| 2011 | |
| Source Publication | 物理学报
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| Volume | 60Issue:5Pages:056104-1-056104-6 |
| Abstract | 为研究注氮改性对注氧隔离硅材料中埋氧层性质的影响,向其埋氧层内注入了1016cm-2的高剂量氮.实验结果表明,与未注氮的埋氧层相比,所有注氮的埋氧层中的正电荷密度显著增加.实验还发现,注氮后的退火可使埋氧层内的正电荷密度进一步上升.但与注氮导致的埋氧层内正电荷密度的显著上升相比,退火时间对注氮的埋氧层内正电荷密度的影响不大.电容-电压测量结果显示,在埋氧层内部,注氮后未退火的样品与在1100℃的氮气气氛下退火2.5h的样品相比,二者具有近似相同的等效正电荷面密度.然而,经0.5h退火的样品却对应最高的等效电荷面密度.为探讨注氮埋氧层内正电荷产生的机理,对注氮在埋氧层中导致的注入损伤进行了模拟.模拟结果表明,氮离子注入在埋氧层内引入了大量的空位缺陷.对比注氮与退火前后的傅里叶变换红外光谱发现,注入损伤在经0.5h的高温退火后即可基本消除.实验还对退火前后的注氮样品进行了二次离子质谱分析.分析认为,注入的氮在埋氧层与硅界面附近积累,导致近界面富硅区的硅-硅弱键断裂是注氮埋氧层内正电荷密度增加的主要原因. |
| metadata_83 | 半导体集成技术工程研究中心 |
| Subject Area | 微电子学 |
| Funding Organization | 济南大学博士基金及上海市教育委员会科研创新项目 |
| Indexed By | CSCD |
| Language | 中文 |
| CSCD ID | CSCD:4193559 |
| Date Available | 2012-07-17 |
| Citation statistics |
Cited Times:1[CSCD]
[CSCD Record]
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| Document Type | 期刊论文 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23257 |
| Collection | 半导体集成技术工程研究中心 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 唐海马,郑中山,张恩霞,等. 高剂量注氮对注氧隔离硅材料埋氧层中正电荷密度的影响[J]. 物理学报,2011,60(5):056104-1-056104-6. |
| APA | 唐海马.,郑中山.,张恩霞.,于芳.,李宁.,...&马红芝.(2011).高剂量注氮对注氧隔离硅材料埋氧层中正电荷密度的影响.物理学报,60(5),056104-1-056104-6. |
| MLA | 唐海马,et al."高剂量注氮对注氧隔离硅材料埋氧层中正电荷密度的影响".物理学报 60.5(2011):056104-1-056104-6. |
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