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SEMI OpenIR  > 半导体集成技术工程研究中心  > 期刊论文

题名: 增强型AlGaN/GaN HEMT器件工艺的研究进展
作者: 杜彦东;  韩伟华;  颜伟;  张严波;  熊莹;  张仁平;  杨富华
发表日期: 2011
摘要: 随着高压开关和高速射频电路的发展,增强型GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)成为该领域内的研究热点。增强型GaN基HEMT只有在加正栅压才有工作电流,可以大大拓展该器件在低功耗数字电路中的应用。近年来,国内外对增强型GaN基HEMT阈值电压的研究主要集中以下两个方面: 在材料生长方面,通过生长薄势垒、降低Al组分、生长无极化电荷的 AIGaN/GaN异质材料、生长InGaN或p-GaN盖帽层,来控制二维电子气浓度; 在器件工艺方面,采用高功函数金属、MIS结构、刻蚀凹栅、F基等离子体处理,来控制表面电势,影响二维电子气浓度。从影响器件阈值电压的相关因素出发,探讨了实现和优化增强型GaN基HEMT的各种工艺方法和发展方向。
刊名: 半导体技术
专题: 半导体集成技术工程研究中心 _期刊论文

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推荐引用方式:
杜彦东;韩伟华;颜伟;张严波;熊莹;张仁平;杨富华.增强型AlGaN/GaN HEMT器件工艺的研究进展,半导体技术,2011,36(10):771-777
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