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增强型AlGaN/GaN HEMT器件工艺的研究进展
杜彦东; 韩伟华; 颜伟; 张严波; 熊莹; 张仁平; 杨富华
2011
Source Publication半导体技术
Volume36Issue:10Pages:771-777
Abstract随着高压开关和高速射频电路的发展,增强型GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)成为该领域内的研究热点。增强型GaN基HEMT只有在加正栅压才有工作电流,可以大大拓展该器件在低功耗数字电路中的应用。近年来,国内外对增强型GaN基HEMT阈值电压的研究主要集中以下两个方面: 在材料生长方面,通过生长薄势垒、降低Al组分、生长无极化电荷的 AIGaN/GaN异质材料、生长InGaN或p-GaN盖帽层,来控制二维电子气浓度; 在器件工艺方面,采用高功函数金属、MIS结构、刻蚀凹栅、F基等离子体处理,来控制表面电势,影响二维电子气浓度。从影响器件阈值电压的相关因素出发,探讨了实现和优化增强型GaN基HEMT的各种工艺方法和发展方向。
metadata_83半导体集成技术工程研究中心
Subject Area微电子学
Funding Organization国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目
Indexed ByCSCD
Language中文
Date Available2012-07-17
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23256
Collection半导体集成技术工程研究中心
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GB/T 7714
杜彦东,韩伟华,颜伟,等. 增强型AlGaN/GaN HEMT器件工艺的研究进展[J]. 半导体技术,2011,36(10):771-777.
APA 杜彦东.,韩伟华.,颜伟.,张严波.,熊莹.,...&杨富华.(2011).增强型AlGaN/GaN HEMT器件工艺的研究进展.半导体技术,36(10),771-777.
MLA 杜彦东,et al."增强型AlGaN/GaN HEMT器件工艺的研究进展".半导体技术 36.10(2011):771-777.
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