增强型AlGaN/GaN HEMT器件工艺的研究进展

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题名:	增强型AlGaN/GaN HEMT器件工艺的研究进展
作者:	杜彦东; 韩伟华; 颜伟; 张严波; 熊莹; 张仁平; 杨富华
发表日期:	2011
摘要:	随着高压开关和高速射频电路的发展，增强型GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)成为该领域内的研究热点。增强型GaN基HEMT只有在加正栅压才有工作电流，可以大大拓展该器件在低功耗数字电路中的应用。近年来，国内外对增强型GaN基HEMT阈值电压的研究主要集中以下两个方面: 在材料生长方面，通过生长薄势垒、降低Al组分、生长无极化电荷的 AIGaN/GaN异质材料、生长InGaN或p-GaN盖帽层，来控制二维电子气浓度; 在器件工艺方面，采用高功函数金属、MIS结构、刻蚀凹栅、F基等离子体处理，来控制表面电势，影响二维电子气浓度。从影响器件阈值电压的相关因素出发，探讨了实现和优化增强型GaN基HEMT的各种工艺方法和发展方向。
刊名:	半导体技术
专题:	半导体集成技术工程研究中心 _期刊论文

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推荐引用方式：

杜彦东；韩伟华；颜伟；张严波；熊莹；张仁平；杨富华.增强型AlGaN/GaN HEMT器件工艺的研究进展,半导体技术,2011,36(10):771-777

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