SEMI OpenIR  > 半导体超晶格国家重点实验室
2~5μm InAs/GaSb超晶格红外探测器
徐应强; 汤宝; 王国伟; 任正伟; 牛智川
2011
Source Publication红外与激光工程
Volume40Issue:8Pages:1403-1406
Abstract采用分子束外延方法在GaSb和GaAs衬底上生长了不同周期厚度的InAs/GaSb高质量II型能带结构超晶格红外探测器,其探测波长覆盖2~5μm红外波段。采用高分辨透射电子显微镜、原子力显微镜、X射线衍射测试、室温与低温光电流响应谱及室温与低温光荧光谱等多种测试手段检验了分子束外延生长在不同衬底上的超晶格材料质量与光学质量。该材料用于制造2~5μm GaAs基与 GaSb基InAs/GaSb超晶格红外探测器。在77 K温度下,2μm波段GaAs基InAs/GaSb超晶格红外探测器探测率为4×10~9 cm·Hz~(1/2)/W,5μm波段GaSb基InAs/GaSb超晶格红外探测器探测率为1.6× 10~(10) cm·Hz~(1/2)/W。
metadata_83半导体超晶格国家重点实验室
Subject Area半导体物理
Funding Organization国家自然科学基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:4333919
Date Available2012-07-17
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23254
Collection半导体超晶格国家重点实验室
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GB/T 7714
徐应强,汤宝,王国伟,等. 2~5μm InAs/GaSb超晶格红外探测器[J]. 红外与激光工程,2011,40(8):1403-1406.
APA 徐应强,汤宝,王国伟,任正伟,&牛智川.(2011).2~5μm InAs/GaSb超晶格红外探测器.红外与激光工程,40(8),1403-1406.
MLA 徐应强,et al."2~5μm InAs/GaSb超晶格红外探测器".红外与激光工程 40.8(2011):1403-1406.
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