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4H-SiC同质外延层中的扩展缺陷研究
闫果果; 孙国胜; 吴海雷; 王雷; 赵万顺; 刘兴昉; 董林; 郑柳; 曾一平
2011
Source Publication半导体光电
Volume32Issue:3Pages:359-362
Abstract利用自主研发的热壁低压化学气相沉积(HWLPCVD)系统,在5.08 cm(2英寸)4°偏轴4H-SiC衬底上生长4H-SiC同质外延膜。讨论了4H-SiC同质外延层中的两种扩展缺陷---彗星缺陷和胡萝卜缺陷,研究了这两种缺陷的起源与消除方法。研究发现采用化学机械抛光(CMP)方法可以有效去除扩展缺陷,提高外延膜的质量。另外,提高衬底质量和优化生长条件也可以消除这两种扩展缺陷。
metadata_83半导体材料科学中心
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家自然科学基金项目,中国科学院项目,中科院知识创新项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:4238899
Date Available2012-07-16
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23252
Collection半导体材料科学中心
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GB/T 7714
闫果果,孙国胜,吴海雷,等. 4H-SiC同质外延层中的扩展缺陷研究[J]. 半导体光电,2011,32(3):359-362.
APA 闫果果.,孙国胜.,吴海雷.,王雷.,赵万顺.,...&曾一平.(2011).4H-SiC同质外延层中的扩展缺陷研究.半导体光电,32(3),359-362.
MLA 闫果果,et al."4H-SiC同质外延层中的扩展缺陷研究".半导体光电 32.3(2011):359-362.
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