SEMI OpenIR  > 半导体材料科学中心
蓝宝石图形衬底上GaN低温缓冲层的研究
吴猛; 曾一平; 王军喜; 胡强
2011
Source Publication半导体技术
Volume36Issue:10Pages:760-764
Abstract低温下,在蓝宝石图形衬底上使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长低温GaN (LT-GaN)缓冲层,并对其表面形貌进行了细致的观察,发现了不同于已报道的GaN选择性成核生长现象。基于不同厚度的低温GaN缓冲层生长了n型GaN(n-GaN),发现过厚或者过薄的缓冲层都会对n-GaN晶体质量产生负面影响,并结合初始成核阶段进行了原因分析。制备了基于不同厚度的n-GaN的发光二极管(LED)样品,分析了GaN晶体质量对LED输出功率的影响。同时发现,晶体质量较差的时候,光提取效率可能主导着对LED器件性能的影响。
metadata_83半导体材料科学中心
Subject Area半导体材料
Funding Organization基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:4319923
Date Available2012-07-16
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23251
Collection半导体材料科学中心
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GB/T 7714
吴猛,曾一平,王军喜,等. 蓝宝石图形衬底上GaN低温缓冲层的研究[J]. 半导体技术,2011,36(10):760-764.
APA 吴猛,曾一平,王军喜,&胡强.(2011).蓝宝石图形衬底上GaN低温缓冲层的研究.半导体技术,36(10),760-764.
MLA 吴猛,et al."蓝宝石图形衬底上GaN低温缓冲层的研究".半导体技术 36.10(2011):760-764.
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