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分子束外延生长InGaN量子点及其结构和光学特性
王保柱; 颜翠英; 王晓亮
2011
Source Publication稀有金属材料与工程
Volume40Issue:11Pages:2030-2032
Abstract采用射频等离子体辅助分子束外延(RF-MBE)技术在蓝宝石衬底上,外延生长了发光波长位于407 nm的InGaN量子点结构,研究了InN成核层技术对其结构和光学特性的影响。材料生长过程中采用反射式高能电子衍射(RHEED)进行了在位检测,通过原子力显微镜(AFM),光致发光(PL)等测试手段表征了InGaN量子点材料的结构和光学特性。结果表明,相对于直接在GaN层上自组织生长InGaN量子点,通过InN成核层技术可以获得高密度、高质量的InGaN量子点结构,量子点尺寸分布更加均匀,主要集中在35~45nm之间;量子点的密度更高,可以达到3.2×10~(10)/cm~2;InN成核层上生长的InGaN量子点的PL发光峰强度为直接在GaN层上生长的InGaN量子点的2倍,发光峰的半高宽较窄,为10 nm。
metadata_83半导体材料科学中心
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家自然科学基金,中国科学院半导体材料科学重点实验室开放基金,河北科技大学基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:4372324
Date Available2012-07-16
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23250
Collection半导体材料科学中心
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GB/T 7714
王保柱,颜翠英,王晓亮. 分子束外延生长InGaN量子点及其结构和光学特性[J]. 稀有金属材料与工程,2011,40(11):2030-2032.
APA 王保柱,颜翠英,&王晓亮.(2011).分子束外延生长InGaN量子点及其结构和光学特性.稀有金属材料与工程,40(11),2030-2032.
MLA 王保柱,et al."分子束外延生长InGaN量子点及其结构和光学特性".稀有金属材料与工程 40.11(2011):2030-2032.
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