| 分子束外延生长InGaN量子点及其结构和光学特性 | |
王保柱 ; 颜翠英; 王晓亮
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| 2011 | |
| Source Publication | 稀有金属材料与工程
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| Volume | 40Issue:11Pages:2030-2032 |
| Abstract | 采用射频等离子体辅助分子束外延(RF-MBE)技术在蓝宝石衬底上，外延生长了发光波长位于407 nm的InGaN量子点结构，研究了InN成核层技术对其结构和光学特性的影响。材料生长过程中采用反射式高能电子衍射(RHEED)进行了在位检测，通过原子力显微镜(AFM)，光致发光(PL)等测试手段表征了InGaN量子点材料的结构和光学特性。结果表明，相对于直接在GaN层上自组织生长InGaN量子点，通过InN成核层技术可以获得高密度、高质量的InGaN量子点结构，量子点尺寸分布更加均匀，主要集中在35~45nm之间；量子点的密度更高，可以达到3.2×10~(10)/cm~2；InN成核层上生长的InGaN量子点的PL发光峰强度为直接在GaN层上生长的InGaN量子点的2倍，发光峰的半高宽较窄，为10 nm。 |
| metadata_83 | 半导体材料科学中心 |
| Subject Area | 半导体材料 |
| Funding Organization | 国家自然科学基金,中国科学院半导体材料科学重点实验室开放基金,河北科技大学基金 |
| Indexed By | CSCD |
| Language | 中文 |
| CSCD ID | CSCD:4372324 |
| Date Available | 2012-07-16 |
| Citation statistics | |
| Document Type | 期刊论文 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23250 |
| Collection | 半导体材料科学中心 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 王保柱,颜翠英,王晓亮. 分子束外延生长InGaN量子点及其结构和光学特性[J]. 稀有金属材料与工程,2011,40(11):2030-2032. |
| APA | 王保柱,颜翠英,&王晓亮.(2011).分子束外延生长InGaN量子点及其结构和光学特性.稀有金属材料与工程,40(11),2030-2032. |
| MLA | 王保柱,et al."分子束外延生长InGaN量子点及其结构和光学特性".稀有金属材料与工程 40.11(2011):2030-2032. |
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