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环形腔光子晶体垂直腔面发射激光器
郑婉华; 刘安金; 邢名欣; 渠宏伟; 周文君; 陈微; 陈良惠
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2011-08-31
授权国家中国
专利类型发明
摘要本发明公开了一种环形腔光子晶体垂直腔面发射激光器,其特征在于,该垂直腔面发射激光器由下至上依次由下电极(1)、n型衬底(2)、下DBR(3)、有源区(4)、氧化层(5)、刻有空气孔的上DBR(6)、p型盖层(7)和上环形电极(8)、空气孔区(9)和环形出光孔区(10)构成。其中,该垂直腔面发射激光器的上DBR表面的空气孔区为高损耗区,空气孔包围的环形区域为光输出区;该垂直腔面发射激光器的电极蒸镀在上DBR的p型盖层的表面和n型衬底的下表面。利用本发明,能实现相干耦合输出,提高激光器的输出功率,改善激光器的光束质量。
部门归属纳米光电子实验室
专利号CN200910081989.2
语种中文
专利状态公开
申请号CN200910081989.2
专利代理人周国城
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22449
专题纳米光电子实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
郑婉华,刘安金,邢名欣,等. 环形腔光子晶体垂直腔面发射激光器. CN200910081989.2.
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