| HPT结构的InAs/GaSb超晶格红外光电探测器 | |
张宇 ; 王国伟; 汤宝; 任正伟; 徐应强; 牛智川; 陈良惠
| |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2011-08-31 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 摘要 | 一种HPT结构的InAs/GaSb超晶格红外光电探测器，包括：一GaSb衬底，利用分子束外延方法在GaSb衬底上依次制备出GaSb缓冲层、GaSb收集区、InAs/GaSb超晶格基区、AlGaAsSb基区、AlGaAsSb发射区以及GaSb盖层；一上电极，采用溅射的方法制作在GaSb盖层的表面，该上电极的中间开有一光的入射口；一下电极，采用溅射的方法制作在GaSb衬底的下表面。 |
| 部门归属 | 纳米光电子实验室 |
| 专利号 | CN201010123021.4 |
| 语种 | 中文 |
| 专利状态 | 公开 |
| 申请号 | CN201010123021.4 |
| 专利代理人 | 汤保平 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22437 |
| 专题 | 纳米光电子实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张宇,王国伟,汤宝,等. HPT结构的InAs/GaSb超晶格红外光电探测器. CN201010123021.4. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN201010123021.4.pdf（176KB） | 限制开放 | -- | 请求全文 | |||
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