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一种制作纳米尺寸相变存储器的方法
田晓丽; 王晓峰; 张加勇; 杨富华; 王晓东
Rights Holder中国科学院半导体研究所
Date Available2011-08-31
Country中国
Subtype发明
Abstract本发明公开了一种制作纳米尺寸相变存储器的方法,首先在硅衬底上淀积一层抗腐蚀性很强的电热绝缘材料,然后利用侧墙工艺在该材料表面制备出一个纳米尺寸的金属GAP,接着再一次利用侧墙工艺制备出纳米尺寸的相变材料,纳米相变材料填充在金属GAP中。钝化开孔引出电极,最后制备出纳米尺寸的相变存储器件。本发明避免了使用电子束曝光的成本高、周期长的缺陷,仅采用光刻和两步侧墙工艺,便制备出了纳米尺寸的相变存储器,在突破光刻分辨率限制及提高器件制备效率等方面具有很大的优越性。
metadata_83半导体集成技术工程研究中心
Patent NumberCN200810240931.3
Language中文
Status公开
Application NumberCN200810240931.3
Patent Agent周国城
Document Type专利
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22413
Collection半导体集成技术工程研究中心
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GB/T 7714
田晓丽,王晓峰,张加勇,等. 一种制作纳米尺寸相变存储器的方法. CN200810240931.3.
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