| 一种制备硅纳米结构的方法 |
| 张仁平 ; 张杨; 杨富华
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2011-08-31
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 本发明涉及纳米电子技术中的半导体微纳加工技术领域，公开了一种制备硅纳米结构的方法，包括：制作进行电子束曝光所需的版图；对需要制作硅纳米结构的基片进行清洗、烘干；将基片热氧化生成二氧化硅掩蔽层；在基片上匀涂电子束曝光胶；按要求剂量用电子束曝光图形；显影和定影；电子束二次曝光；干法刻蚀二氧化硅；干法刻蚀硅，形成硅纳米结构。利用本发明，采用电子束曝光和干法刻蚀技术能够制作出100nm以下形状规则、边缘光滑、排列紧密、最精细处可达30nm的硅纳米结构。 |
| 部门归属 | 半导体集成技术工程研究中心
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| 专利号 | CN200810240932.8
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN200810240932.8
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| 专利代理人 | 周国城
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22409
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| 专题 | 半导体集成技术工程研究中心
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
张仁平,张杨,杨富华. 一种制备硅纳米结构的方法. CN200810240932.8.
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