SEMI OpenIR  > 半导体集成技术工程研究中心
一种制备硅纳米结构的方法
张仁平; 张杨; 杨富华
Rights Holder中国科学院半导体研究所
Date Available2011-08-31
Country中国
Subtype发明
Abstract本发明涉及纳米电子技术中的半导体微纳加工技术领域,公开了一种制备硅纳米结构的方法,包括:制作进行电子束曝光所需的版图;对需要制作硅纳米结构的基片进行清洗、烘干;将基片热氧化生成二氧化硅掩蔽层;在基片上匀涂电子束曝光胶;按要求剂量用电子束曝光图形;显影和定影;电子束二次曝光;干法刻蚀二氧化硅;干法刻蚀硅,形成硅纳米结构。利用本发明,采用电子束曝光和干法刻蚀技术能够制作出100nm以下形状规则、边缘光滑、排列紧密、最精细处可达30nm的硅纳米结构。
metadata_83半导体集成技术工程研究中心
Patent NumberCN200810240932.8
Language中文
Status公开
Application NumberCN200810240932.8
Patent Agent周国城
Document Type专利
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22409
Collection半导体集成技术工程研究中心
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GB/T 7714
张仁平,张杨,杨富华. 一种制备硅纳米结构的方法. CN200810240932.8.
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