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一种制作纳米尺寸相变存储器的方法
张加勇; 王晓峰; 田晓丽; 杨富华; 王晓东
Rights Holder中国科学院半导体研究所
Date Available2011-08-31
Country中国
Subtype发明
Abstract本发明公开了一种制作纳米尺寸相变存储器的方法,首先在硅衬底上淀积一层抗腐蚀性很强的电热绝缘材料,然后利用侧墙工艺在该材料表面制备出一个纳米尺寸的金属NANOGAP,该步工艺中的侧墙材料是光刻胶,然后再一次利用侧墙工艺制备出一条纳米尺寸的相变材料,纳米相变条填充在金属隙缝中。钝化开孔引出电极,最后制备出了纳米尺寸的相变存储器件。本发明不仅避免了使用电子束曝光的成本高、周期长的缺陷,只采用光刻和两步侧墙工艺,便制备出了纳米尺寸的相变存储器,而且可以在进行金属剥离过程时同步实现光刻胶侧墙身上的金属的剥离,缩减了工艺步骤,具有很大的优越性。
metadata_83半导体集成技术工程研究中心
Patent NumberCN200810240935.1
Language中文
Status公开
Application NumberCN200810240935.1
Patent Agent周国城
Document Type专利
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22407
Collection半导体集成技术工程研究中心
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GB/T 7714
张加勇,王晓峰,田晓丽,等. 一种制作纳米尺寸相变存储器的方法. CN200810240935.1.
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