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以光刻胶为掩膜对二氧化硅进行深刻蚀的方法
李艳; 杨富华; 裴为华
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2011-08-31
授权国家中国
专利类型发明
摘要本发明公开了一种以光刻胶为掩膜对二氧化硅进行深刻蚀的方法,该方法包括:步骤1:在二氧化硅样品表面制备光刻胶掩膜;步骤2:对光刻胶掩膜进行梯度升温坚膜;步骤3:采用ICP干法刻蚀二氧化硅样品。本发明以光刻胶为掩膜进行二氧化硅深刻蚀,具有工艺简单快捷,选择比高,刻蚀深度可达25微米,刻蚀形貌好,侧壁陡直等优点。
部门归属半导体集成技术工程研究中心
专利号CN200910081225.3
语种中文
专利状态公开
申请号CN200910081225.3
专利代理人周国城
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22401
专题半导体集成技术工程研究中心
推荐引用方式
GB/T 7714
李艳,杨富华,裴为华. 以光刻胶为掩膜对二氧化硅进行深刻蚀的方法. CN200910081225.3.
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