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基于脉冲耦合的硅纳米线CMOS神经元电路; 基于脉冲耦合的硅纳米线CMOS神经元电路
韩伟华; 熊莹; 赵凯; 杨香; 张严波; 王颖; 杨富华
Rights Holder中国科学院半导体研究所
Date Available2011-08-31 ; 2011-08-31 ; 2011-08-31
Country中国
Subtype发明
Abstract本发明公开了一种基于脉冲耦合的硅纳米线CMOS神经元电路,该电路由树突电路、积分求和器和脉冲发生电路三部分依次连接构成。该脉冲耦合神经元电路的特点是输出和输入均为脉冲序列串,该电路的器件均为硅纳米线CMOS晶体管。树突电路由一组并联的P型纳米线MOS晶体管与一N型纳米线MOS晶体管通过漏端节点相串联而构成CMOS电路,P型纳米线MOS晶体管的源端输入脉冲电压信号;积分求和器由一电容C∑构成,该电容与树突电路中的P型与N型纳米线MOS晶体管的漏端节点相连接,积累加权电流形成触发电压信号;脉冲发生电路由偶数个串联的CMOS反相器与树突CMOS电路形成反馈回路,产生脉冲序列串输出,输出脉冲序列串的频率受到输入电压脉冲信号的调制。
metadata_83半导体集成技术工程研究中心
Patent NumberCN200910091405.X
Language中文
Status公开
Application NumberCN200910091405.X
Patent Agent周国城
Document Type专利
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22387
Collection半导体集成技术工程研究中心
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GB/T 7714
韩伟华,熊莹,赵凯,等. 基于脉冲耦合的硅纳米线CMOS神经元电路, 基于脉冲耦合的硅纳米线CMOS神经元电路. CN200910091405.X.
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基于脉冲耦合的硅纳米线CMOS神经元电路(533KB) 限制开放--Application Full Text
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