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高迁移率量子点场效应晶体管及其制作方法
李越强; 刘雯; 王晓东; 陈燕玲; 杨富华
Rights Holder中国科学院半导体研究所
Date Available2011-08-31
Country中国
Subtype发明
Abstract一种高迁移率量子点场效应晶体管,包括:一衬底;一第一应力缓冲层制作在衬底上;一第二应力缓冲层制作在第一应力缓冲层上;一掺杂层制作在第二应力缓冲层上;一间隔层制作在掺杂层上;一沟道层制作在间隔层上;一下势垒层制作在沟道层上;一量子点层制作在下势垒层上;一上势垒层制作在量子点层上,该上势垒层上面的中间有一凹形台面,该凹形台面的一侧为源区,另一侧为漏区;两帽层,该两帽层分别制作在上势垒层两侧的源区和漏区上;一第一电极制作在一帽层的上面;一第二电极制作在另一帽层的上面;一第三电极制作在上势垒层上面的凹形台面上。
metadata_83半导体集成技术工程研究中心
Patent NumberCN200910091632.2
Language中文
Status公开
Application NumberCN200910091632.2
Patent Agent汤保平
Document Type专利
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22383
Collection半导体集成技术工程研究中心
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GB/T 7714
李越强,刘雯,王晓东,等. 高迁移率量子点场效应晶体管及其制作方法. CN200910091632.2.
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