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一种平面相变存储器的制备方法; 一种平面相变存储器的制备方法
张加勇; 王晓峰; 马慧莉; 程凯芳; 王晓东; 杨富华
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2011-08-31 ; 2011-08-31 ; 2011-08-31
授权国家中国
专利类型发明
摘要一种平面相变存储器的制备方法,包括如下步骤:在衬底上生长一层绝缘材料层和基底材料层;去除基底材料层的四边,形成侧墙的基底;在其表面及侧面淀积侧墙材料层;采用干法回刻形成侧墙;用湿法腐蚀去除基底材料层,只保留纳米尺寸的侧墙;在该侧墙材料层的一条边上搭上一条制作电极的金属层;在其表面制备一层绝缘材料层,将侧墙和金属层包裹在其中;抛光上表面的同时切断侧墙两旁的金属层的连接;化学机械抛光的截止面位于平面处的金属层的表面,即使得平面处的金属层全部露出;再在露出的纳米间距的金属电极上横跨上一条相变材料;最后在表面淀积一层绝缘材料,再在纳米间距的金属电极两边的金属层上开孔,并引出电极即可形成平面相变存储器。
部门归属半导体集成技术工程研究中心
专利号CN201010115649.X
语种中文
专利状态公开
申请号CN201010115649.X
专利代理人汤保平
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22371
专题半导体集成技术工程研究中心
推荐引用方式
GB/T 7714
张加勇,王晓峰,马慧莉,等. 一种平面相变存储器的制备方法, 一种平面相变存储器的制备方法. CN201010115649.X.
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