SEMI OpenIR  > 半导体集成技术工程研究中心
一种相变存储器的制作方法
马慧莉; 王晓峰; 王晓东; 杨富华
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2011-08-31
授权国家中国
专利类型发明
摘要一种相变存储器的制作方法,该方法包括:步骤1:在衬底上淀积一层第一绝缘材料层;步骤2:在第一绝缘材料层上淀积一层金属层,作为相变存储器的下电极;步骤3:在金属层上制备一层相变材料层;步骤4:在相变材料层上用薄膜淀积工艺淀积一层第二绝缘材料层;步骤5:在第二绝缘材料层上采用微纳加工技术制备金属插塞电极的小孔;步骤6:采用无电化学镀的方法在小孔内填充金属作为插塞电极;步骤7:在第二绝缘材料层上淀积一层金属材料,作为相变存储器的上电极;步骤8:在金属材料上淀积一层第三绝缘材料层;步骤9:在第三绝缘材料层上钝化开孔;步骤10:在第三绝缘材料层上和钝化开孔内,再淀积一层金属电极层,完成相变存储器的制作。
部门归属半导体集成技术工程研究中心
专利号CN201010139182.2
语种中文
专利状态公开
申请号CN201010139182.2
专利代理人汤保平
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22367
专题半导体集成技术工程研究中心
推荐引用方式
GB/T 7714
马慧莉,王晓峰,王晓东,等. 一种相变存储器的制作方法. CN201010139182.2.
条目包含的文件
文件名称/大小 文献类型 版本类型 开放类型 使用许可
CN201010139182.2.pdf(514KB) 限制开放--请求全文
个性服务
推荐该条目
保存到收藏夹
查看访问统计
导出为Endnote文件
谷歌学术
谷歌学术中相似的文章
[马慧莉]的文章
[王晓峰]的文章
[王晓东]的文章
百度学术
百度学术中相似的文章
[马慧莉]的文章
[王晓峰]的文章
[王晓东]的文章
必应学术
必应学术中相似的文章
[马慧莉]的文章
[王晓峰]的文章
[王晓东]的文章
相关权益政策
暂无数据
收藏/分享
所有评论 (0)
暂无评论
 

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。