制备增强型铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的方法 | |
王晓亮; 张明兰; 肖红领; 王翠梅; 唐健; 冯春; 姜丽娟 | |
Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
Date Available | 2011-08-31 |
Country | 中国 |
Subtype | 发明 |
Abstract | 本发明公开了一种制备增强型铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的方法,包括以下步骤:在衬底上生长氮化镓成核层;在氮化镓成核层上生长氮化镓缓冲层;在氮化镓缓冲层上生长高迁移率氮化镓层;在高迁移率氮化镓层上生长氮化铝插入层;在氮化铝插入层上生长铝镓氮势垒层;在铝镓氮势垒层上生长氮化铟盖帽层;刻蚀氮化铟盖帽层;制备源、漏欧姆接触;制备栅金属;电极金属加厚。利用本发明,降低了制备成本,简化了制备工艺,提高了工艺的可靠性。 |
metadata_83 | 半导体材料科学中心 |
Patent Number | CN200810226288.9 |
Language | 中文 |
Status | 公开 |
Application Number | CN200810226288.9 |
Patent Agent | 周国城 |
Document Type | 专利 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22335 |
Collection | 半导体材料科学中心 |
Recommended Citation GB/T 7714 | 王晓亮,张明兰,肖红领,等. 制备增强型铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的方法. CN200810226288.9. |
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