| 制备增强型铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的方法 | |
| 王晓亮; 张明兰; 肖红领; 王翠梅; 唐健; 冯春; 姜丽娟 | |
| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2011-08-31 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 本发明公开了一种制备增强型铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的方法，包括以下步骤：在衬底上生长氮化镓成核层；在氮化镓成核层上生长氮化镓缓冲层；在氮化镓缓冲层上生长高迁移率氮化镓层；在高迁移率氮化镓层上生长氮化铝插入层；在氮化铝插入层上生长铝镓氮势垒层；在铝镓氮势垒层上生长氮化铟盖帽层；刻蚀氮化铟盖帽层；制备源、漏欧姆接触；制备栅金属；电极金属加厚。利用本发明，降低了制备成本，简化了制备工艺，提高了工艺的可靠性。 |
| metadata_83 | 半导体材料科学中心 |
| Patent Number | CN200810226288.9 |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN200810226288.9 |
| Patent Agent | 周国城 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22335 |
| Collection | 半导体材料科学中心 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 王晓亮,张明兰,肖红领,等. 制备增强型铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的方法. CN200810226288.9. |
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| CN200810226288.9.pdf（404KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
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