| 利用氧化锌提高LED光提取效率的方法 |
| 刘祯; 段垚; 王晓峰; 曾一平
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2011-08-31
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 一种利用氧化锌提高LED光提取效率的方法，包括以下步骤：步骤1：取一GaN基发光二极管外延片；步骤2：在GaN基发光二极管外延片的出光面上生长一层ZnO单晶薄膜；步骤3：利用湿法化学腐蚀的方法，腐蚀ZnO单晶薄膜的表面，使ZnO单晶薄膜的表面在位错处出现腐蚀坑；步骤4：光刻生长有ZnO单晶薄膜的GaN基发光二极管外延片，在GaN基LED外延片上形成重复的LED基本结构单元，刻蚀LED基本结构单元的一侧形成一台面，制作出LED的基本芯片结构；步骤5：在LED的基本芯片结构的台面上制作n电极，在ZnO单晶薄膜的表面上或出光面上制作p电极，完成器件的制作。 |
| 部门归属 | 半导体材料科学中心
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| 专利号 | CN200910084159.5
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN200910084159.5
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| 专利代理人 | 汤保平
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22331
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| 专题 | 半导体材料科学中心
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
刘祯,段垚,王晓峰,等. 利用氧化锌提高LED光提取效率的方法. CN200910084159.5.
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