SEMI OpenIR  > 半导体材料科学中心
在大失配衬底上生长表面无裂纹的GaN薄膜的方法
魏萌; 王晓亮; 潘旭; 李建平; 刘宏新; 王翠梅; 肖红领
Rights Holder中国科学院半导体研究所
Date Available2011-08-31
Country中国
Subtype发明
Abstract一种在大失配衬底上生长表面无裂纹的GaN薄膜的方法,包括如下步骤:步骤1:选择一大失配衬底;步骤2:在大失配衬底上生长一层氮化物复合缓冲层,该氮化物复合缓冲层可以缓解晶格失配,并且阻止回熔刻蚀反应;步骤3:在氮化物复合缓冲层上生长一层GaN过渡层;步骤4:在GaN过渡层上生长一组超晶格,该超晶格可以释放部分张应力,并能过滤穿透位错;步骤5:在超晶格上面生长GaN外延层,完成GaN薄膜的制备。
metadata_83半导体材料科学中心
Patent NumberCN201010128376.2
Language中文
Status公开
Application NumberCN201010128376.2
Patent Agent汤保平
Document Type专利
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22305
Collection半导体材料科学中心
Recommended Citation
GB/T 7714
魏萌,王晓亮,潘旭,等. 在大失配衬底上生长表面无裂纹的GaN薄膜的方法. CN201010128376.2.
Files in This Item:
File Name/Size DocType Version Access License
CN201010128376.2.pdf(264KB) 限制开放--Application Full Text
Related Services
Recommend this item
Bookmark
Usage statistics
Export to Endnote
Google Scholar
Similar articles in Google Scholar
[魏萌]'s Articles
[王晓亮]'s Articles
[潘旭]'s Articles
Baidu academic
Similar articles in Baidu academic
[魏萌]'s Articles
[王晓亮]'s Articles
[潘旭]'s Articles
Bing Scholar
Similar articles in Bing Scholar
[魏萌]'s Articles
[王晓亮]'s Articles
[潘旭]'s Articles
Terms of Use
No data!
Social Bookmark/Share
All comments (0)
No comment.
 

Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.