| NPN异质结双极型晶体管激光器 |
| 梁松 ; 朱洪亮; 王圩
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2011-08-31
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 本发明涉及半导体激光器技术领域，公开了一种NPN异质结双极型晶体管激光器，包括衬底(1)、缓冲层(2)、下包层(3)、亚集电极层(4)、集电极层(5)、基极层(6)、量子阱有源区层(7)、发射极层(8)、上包层(9)和接触层(10)。其中量子阱有源区层位于所述基极层与发射极层之间，一方面减少了基极层中掺杂杂质Zn向有源区层的扩散，另一方面也减少了基极层中掺杂杂质Zn向发射区层的扩散，有助于同时提高器件的光学和电学性能。由发射极注入的电子一部分在量子阱有源区层中辐射复合发光，另一部分被集电极层收集，形成集电极电流。 |
| 部门归属 | 中科院半导体材料科学重点实验室
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| 专利号 | CN200810240353.3
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN200810240353.3
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| 专利代理人 | 周国城
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22287
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| 专题 | 中科院半导体材料科学重点实验室
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
梁松,朱洪亮,王圩. NPN异质结双极型晶体管激光器. CN200810240353.3.
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