SEMI OpenIR  > 中科院半导体材料科学重点实验室
NPN异质结双极型晶体管激光器
梁松; 朱洪亮; 王圩
Rights Holder中国科学院半导体研究所
Date Available2011-08-31
Country中国
Subtype发明
Abstract本发明涉及半导体激光器技术领域,公开了一种NPN异质结双极型晶体管激光器,包括衬底(1)、缓冲层(2)、下包层(3)、亚集电极层(4)、集电极层(5)、基极层(6)、量子阱有源区层(7)、发射极层(8)、上包层(9)和接触层(10)。其中量子阱有源区层位于所述基极层与发射极层之间,一方面减少了基极层中掺杂杂质Zn向有源区层的扩散,另一方面也减少了基极层中掺杂杂质Zn向发射区层的扩散,有助于同时提高器件的光学和电学性能。由发射极注入的电子一部分在量子阱有源区层中辐射复合发光,另一部分被集电极层收集,形成集电极电流。
metadata_83中科院半导体材料科学重点实验室
Patent NumberCN200810240353.3
Language中文
Status公开
Application NumberCN200810240353.3
Patent Agent周国城
Document Type专利
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22287
Collection中科院半导体材料科学重点实验室
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GB/T 7714
梁松,朱洪亮,王圩. NPN异质结双极型晶体管激光器. CN200810240353.3.
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