单片集成的微型太阳电池阵列及其制备方法
王彦硕; 陈诺夫; 白一鸣; 黄添懋; 陈晓峰; 张汉
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2011-08-31
授权国家中国
专利类型发明
摘要本发明一种单片集成的微型太阳电池阵列,其中包括:一衬底;掺杂层,该掺杂层生长在衬底的上面的两侧;一太阳电池功能层,生长在掺杂层的上面;一帽子层,生长在太阳电池功能层的上面,该帽子层的面积小于太阳电池功能层的面积,与太阳电池功能层一侧端对齐;一下绝缘填充层,填充在掺杂层之间,且覆盖于太阳电池功能层的一端及帽子层一端和部分表面;一金属遮光层,生长于下绝缘填充层中间之上,其面积小于下绝缘填充层的面积;一上绝缘填充层,覆盖于下绝缘填充层和金属遮光层;一金属电极,生长于一侧的掺杂层之上,且覆盖于上绝缘填充层及大部分帽子层的上表面。
部门归属中科院半导体材料科学重点实验室
专利号CN200910078559.5
语种中文
专利状态公开
申请号CN200910078559.5
专利代理人汤保平
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22281
专题中科院半导体材料科学重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
王彦硕,陈诺夫,白一鸣,等. 单片集成的微型太阳电池阵列及其制备方法. CN200910078559.5.
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