SEMI OpenIR  > 中科院半导体材料科学重点实验室
生长氧化锌薄膜材料的方法
王振华; 刘祥林; 杨少延; 杨安丽
Rights Holder中国科学院半导体研究所
Date Available2011-08-31
Country中国
Subtype发明
Abstract一种生长氧化锌薄膜材料的方法,包括:选用硅单晶基片作为生长氧化锌薄膜材料的衬底;选用甲醇作为氧源,二乙基锌作为锌源;将清洗过的硅衬底放在MOCVD设备的反应室衬底底座上;将反应室抽真空后再充氮气升压,如此反复两次,以排净反应室中的空气;充氮气将反应室升压至适合生长的压强;将衬底升温至适合氧化锌生长的温度;打开反应室衬底底座旋转开关,使得衬底匀速旋转;在MOCVD设备中利用载气从衬底侧面通入二乙基锌,在硅衬底上生长一层锌隔离层;在MOCVD设备中利用载气从衬底顶部通入甲醇,使之与锌源反应在锌隔离层上得到氧化锌薄膜外延层;关闭锌源和氧源载气,待反应室压强升至常压,温度降至常温后从MOCVD设备中取出氧化锌样品。
metadata_83中科院半导体材料科学重点实验室
Patent NumberCN200910079800.6
Language中文
Status公开
Application NumberCN200910079800.6
Patent Agent汤保平
Document Type专利
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22273
Collection中科院半导体材料科学重点实验室
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GB/T 7714
王振华,刘祥林,杨少延,等. 生长氧化锌薄膜材料的方法. CN200910079800.6.
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