| 一种制备n型掺杂的立方氮化硼薄膜的方法 |
| 应杰; 张兴旺 ; 范亚明
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2011-08-31
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 本发明公开了一种制备n型掺杂的立方氮化硼薄膜的方法，该方法包括；选用Si(001)单晶作为衬底；用B靶作为立方氮化硼薄膜沉积的溅射靶，在该B靶上覆盖有一位置可调的Si靶作为Si掺杂立方氮化硼薄膜生长的掺杂源；采用两个考夫曼宽束离子源沉积Si掺杂立方氮化硼薄膜，主离子源采用Ar+离子轰击B靶和Si靶，同时以Ar+及N2+的混合离子束作为辅助离子源轰击薄膜；对制备的Si掺杂立方氮化硼薄膜在N2保护下进行高温快速热退火。本发明提供的这种制备n型掺杂的立方氮化硼薄膜的方法，过程简单、成本低，容易精确控制掺杂元素浓度，还具有使杂质原子均匀分布在薄膜内的优点。 |
| 部门归属 | 中科院半导体材料科学重点实验室
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| 专利号 | CN200910237087.3
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN200910237087.3
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| 专利代理人 | 周国城
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22245
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| 专题 | 中科院半导体材料科学重点实验室
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
应杰,张兴旺,范亚明. 一种制备n型掺杂的立方氮化硼薄膜的方法. CN200910237087.3.
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