| 在玻璃衬底上制备P型多晶硅薄膜的方法 | |
黄添懋; 陈诺夫; 施辉伟 ; 尹志岗; 吴金良; 王彦硕; 汪宇; 张汉
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| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2011-08-31 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 一种在玻璃衬底上制备P型多晶硅薄膜的方法，其特征在于包括如下步骤：步骤1：在普通玻璃衬底上用磁控溅射沉积制作铝薄膜，形成样品；步骤2：将样品在空气中暴露以制作氧化膜；步骤3：将制作有氧化膜样品的表面利用磁控溅射沉积非晶硅薄膜；步骤4：利用快速热处理设备，将制作有非晶硅薄膜的样品进行退火处理，完成多晶硅薄膜的制作。 |
| metadata_83 | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| Patent Number | CN200910241692.8 |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN200910241692.8 |
| Patent Agent | 汤保平 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22239 |
| Collection | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 黄添懋,陈诺夫,施辉伟,等. 在玻璃衬底上制备P型多晶硅薄膜的方法. CN200910241692.8. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| CN200910241692.8.pdf（242KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
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