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在玻璃衬底上制备P型多晶硅薄膜的方法
黄添懋; 陈诺夫; 施辉伟; 尹志岗; 吴金良; 王彦硕; 汪宇; 张汉
Rights Holder中国科学院半导体研究所
Date Available2011-08-31
Country中国
Subtype发明
Abstract一种在玻璃衬底上制备P型多晶硅薄膜的方法,其特征在于包括如下步骤:步骤1:在普通玻璃衬底上用磁控溅射沉积制作铝薄膜,形成样品;步骤2:将样品在空气中暴露以制作氧化膜;步骤3:将制作有氧化膜样品的表面利用磁控溅射沉积非晶硅薄膜;步骤4:利用快速热处理设备,将制作有非晶硅薄膜的样品进行退火处理,完成多晶硅薄膜的制作。
metadata_83中科院半导体材料科学重点实验室
Patent NumberCN200910241692.8
Language中文
Status公开
Application NumberCN200910241692.8
Patent Agent汤保平
Document Type专利
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22239
Collection中科院半导体材料科学重点实验室
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GB/T 7714
黄添懋,陈诺夫,施辉伟,等. 在玻璃衬底上制备P型多晶硅薄膜的方法. CN200910241692.8.
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