在玻璃衬底上制备P型多晶硅薄膜的方法 | |
黄添懋; 陈诺夫; 施辉伟![]() ![]() ![]() | |
Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
Date Available | 2011-08-31 |
Country | 中国 |
Subtype | 发明 |
Abstract | 一种在玻璃衬底上制备P型多晶硅薄膜的方法,其特征在于包括如下步骤:步骤1:在普通玻璃衬底上用磁控溅射沉积制作铝薄膜,形成样品;步骤2:将样品在空气中暴露以制作氧化膜;步骤3:将制作有氧化膜样品的表面利用磁控溅射沉积非晶硅薄膜;步骤4:利用快速热处理设备,将制作有非晶硅薄膜的样品进行退火处理,完成多晶硅薄膜的制作。 |
metadata_83 | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
Patent Number | CN200910241692.8 |
Language | 中文 |
Status | 公开 |
Application Number | CN200910241692.8 |
Patent Agent | 汤保平 |
Document Type | 专利 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22239 |
Collection | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
Recommended Citation GB/T 7714 | 黄添懋,陈诺夫,施辉伟,等. 在玻璃衬底上制备P型多晶硅薄膜的方法. CN200910241692.8. |
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