SEMI OpenIR  > 中科院半导体材料科学重点实验室
一种广谱吸收的黑硅太阳能电池结构及其制作方法
朱洪亮; 朱小宁; 梁松; 张兴旺; 刘德伟; 王圩
Rights Holder中国科学院半导体研究所
Date Available2011-08-31
Country中国
Subtype发明
Abstract本发明公开了一种广谱吸收的黑硅太阳能电池结构,该结构由上至下依次包括:迎光面广谱陷光层;p型硅基衬底;n型磷扩散层;以及背光面广谱吸收黑硅层。本发明同时公开了一种广谱吸收的黑硅太阳能电池结构的制作方法。利用本发明,可充分利用黑硅材料的特点,使进入电池的太阳光几乎能被全部吸收,同时利用背面掺杂梯度自建场分离黑硅中产生的光生电子-空穴对,使之被电极接收转化为光电流,解决了传统硅基电池受红外吸收限制,不能吸收和转化1.1微米以上波长太阳光谱的问题;该结构的pn结由扩散结形成,能确保电池开路电压不受黑硅低能光子转化降低的影响,从而有效提高了硅基太阳能电池的光电转换效率。
metadata_83中科院半导体材料科学重点实验室
Patent NumberCN201010113745.0
Language中文
Status公开
Application NumberCN201010113745.0
Patent Agent周国城
Document Type专利
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22225
Collection中科院半导体材料科学重点实验室
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GB/T 7714
朱洪亮,朱小宁,梁松,等. 一种广谱吸收的黑硅太阳能电池结构及其制作方法. CN201010113745.0.
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